【中计在线消息】东芝公司今天宣布，即将推出和美国SanDisk公司共同开发的采用最先进５６ｎｍ＊1工艺的１６Gb（２gigabyte）、８Gb（１gigabyte）的ＮＡＮＤ闪存。１６Gb是单芯片的业内最大容量＊2。

东芝从本月开始量产目前市场上主流的８GbNAND闪存，同时也计划从今年第二季度的早期开始量产１６GbNAND闪存。继去年底开始出厂开发样品后，今天开始将陆续出厂产品样品。

本次新产品采用多值单元（MLC）技术和改进的编程效率，实现了高容量和高写入性能。采用56nm工艺，实现了上一代产品（8Gb 70nm工艺）2倍的NAND闪存业内单芯片最大容量＊2的1６Gb产品。而且一次处理的数据（页面）达到数倍增长，写入速度也达到了以往MLC产品2倍＊3的１０MB/秒，同时实现了大容量化和高速化。

东芝公司今后将继续微细加工、多值化的新技术开发，同时也将不断增强设备、改善生产效率，确保满足NAND闪存市场需求的供应能力和成本竞争力。

＊１　ｎｍ　：纳米。１０－9ｍ　
        ＊２　每一个硅芯片的容量
        ＊３　和采用多值技术的本公司以往产品的最高速度进行比较

　新产品的概要

型号名	容量	样品出货	量产时间
TC58NVG3D1DTG00	8Gb	2007年1月	2007年1月
TC58NVG4D1DTG00	16Gb	2007年第一季度	2007年第二季度的早期

注：以上产品型号适用于日本市场。

新产品的主要特征　

１．采用最先进的５６ｎｍ工艺和可以提高每个器件数据保存容量的多值技术（MLC）等，单芯片的容量达到上一代产品（8Gb 70nm工艺）的2倍。

２．除了微细加工效果以外，还引进以下高速写入技术。
・一次写入页面大小从原来的2,112byte增加到2倍4,314byte
・采用降低数据待处理、高速化的写入缓冲功能
通过以上功能，实现相当于以往产品（多值）2倍的１０MB／秒的高速写入速度。

新产品的主要规格

型号名	TC58NVG3D1DTG00	TC58NVG4D1DTG00
容量	8Gb	16Gb
电源电压	２．７Ｖ～３.６Ｖ
页面大小	４０９６＋２１８byte
编程时间	８００微秒／页（Typ.）
消除时间	２毫秒／块（Typ.）
访问时间	５０微秒（１ｓｔ）、 　３０纳秒（串联）
封装	４８pin ＴＳＯＰ ＴｙｐｅI
外形尺寸	１２×２０×１．２mm