英特尔周五表示，已经开发出新材料来制造晶体管，从而可以解决长期困扰芯片技术发展的电子泄漏和发热问题。与当前材料相比，新材料可以降低晶体管电子泄漏10倍以上，提升晶体管性能20%以上。VLSI研究公司主管丹·哈奇森(Dan Hutcheson)表示：“自上世纪60年代以来，我们从未改变过制造晶体管的基础材料。因此，这无疑是一个巨大的突破。”

　　哈奇森同时表示：“新技术将让摩尔定律得以延续。”英特尔联合创始人高顿·摩尔(Gordon Moore)1965年提出，单位面积芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍，这就是著名的摩尔定律。多年以来，芯片产业的发展一直遵循着这一规律。但是，随着芯片体积越来越小，发热量成为制约芯片技术发展的一大瓶颈，很多业内人士认为，摩尔定律将成为历史。

　　晶体管新技术的推出，意味着英特尔、IBM和其它厂商可以采用更先进的技术，例如45纳米生产工艺来生产下一代芯片。英特尔表示，该公司将于今年底把新技术用于新型处理器，从而获得更大的领先优势。英特尔数字企业集团副总裁史蒂夫·史密斯(Steve Smith)表示：“我们相信，这些新产品可以提供更高的性能。与现有产品相比，它们在媒体应用方面的性能提升将达到两位数百分比。”

　　IBM预计，该公司的新技术将于明年用于AMD和东芝等合作伙伴的芯片。研究人员认为，通过英特尔和IBM研发的新技术，芯片生产工艺至少还可以再进步两代，达到22纳米。现有的晶体管主要采用基于硅的材料，随着晶体管体积的缩小，目前的材料层仅有5个原子厚，由此必然会导致大量电子泄漏，并产生不必要的热量。